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: 俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)后遺癥，半導(dǎo)體稀有氣體價(jià)格飆升

俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的影響可能甚至比行業(yè)本身之前所認(rèn)為的還要大。據(jù)英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道，對(duì)半導(dǎo)體制造過(guò)程至關(guān)重要的稀有氣體——例如氖氣、氙氣和氪氣——的價(jià)格正在飆升，可用庫(kù)存和供應(yīng)已經(jīng)證明不足以滿足當(dāng)前的需求水平。至關(guān)重要的是，據(jù)報(bào)道，全球約75% 的氖氣供應(yīng)被半導(dǎo)體制造所消耗。烏克蘭的全部產(chǎn)量不足以滿足該行業(yè)的需求，但它確實(shí)提供了很大一部分氖氣供應(yīng)。烏克蘭的氖氣產(chǎn)量也占美國(guó)進(jìn)口惰性氣體的90%。上周，隨著沖突的爆發(fā)，我們最初報(bào)道了俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)的潛在影響。
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: 一周翻了5倍的稀有氣體——氖氣

氖氣（Ne），制造芯片的關(guān)鍵性材料，怎么個(gè)關(guān)鍵？沒(méi)有光刻機(jī)，做不出芯片。沒(méi)有光刻氣，光刻機(jī)就是個(gè)模型。氖氣，占光刻氣這種激光氣體混合物的96%以上。氖氬氟等稀有氣體經(jīng)高壓受激發(fā)后形成等離子體，在這個(gè)過(guò)程中，由于電子躍遷，會(huì)產(chǎn)生固定波長(zhǎng)的光線，形成了剔除光刻膠的刀片。除此之外，還有兩個(gè)好兄弟，氪氣（同樣用于光刻制程），氙氣（用于半導(dǎo)體刻蝕制程）。一周內(nèi)，氪氣漲幅約30%，目前主流價(jià)格在38000-42000元/方。氙氣漲幅約40%，主流價(jià)格在42萬(wàn)—45萬(wàn)/方。
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: 沖突之下，光刻機(jī)巨頭尋求烏克蘭氖氣替代，國(guó)產(chǎn)氖氣有望進(jìn)場(chǎng)補(bǔ)位

俄烏對(duì)峙狀況越來(lái)越激烈，這兩個(gè)國(guó)家都是全球氖氣主要生產(chǎn)國(guó)，特別是烏克蘭，供應(yīng)了全球70％的氖氣，這種稀有氣體對(duì)半導(dǎo)體光刻環(huán)節(jié)至關(guān)重要，難以取代。所以俄烏沖突一爆發(fā)，光刻機(jī)巨頭阿斯麥便緊張兮兮，畢竟他家20％的氖氣供應(yīng)來(lái)自烏克蘭，要是供應(yīng)中斷，風(fēng)險(xiǎn)太大了，所以阿斯麥正在四處尋找其他氖氣供應(yīng)來(lái)源。雖說(shuō)，高純氖氣量產(chǎn)提純的技術(shù)門(mén)檻很高，能達(dá)標(biāo)的企業(yè)屈指可數(shù)，但由于中國(guó)是全球鋼鐵大國(guó)，氖氣是鋼鐵行業(yè)的副產(chǎn)品，我國(guó)對(duì)于這些稀有氣體的純化技術(shù)早已實(shí)現(xiàn)突破，生產(chǎn)工藝成熟，不是一項(xiàng)&ldqu
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: 韓國(guó)稀有氣體“氖”成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化！

隨著近年來(lái)半導(dǎo)體市場(chǎng)的高速增長(zhǎng)，半導(dǎo)體工藝中使用的氖 (Ne)、氙 (Xe) 和氪 (Kr) 等稀有氣體的需求迅速增加。韓國(guó)稀有氣體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2020年約1600億韓元增長(zhǎng)到2023年約2800億韓元，年均增長(zhǎng)20%。然而，韓國(guó)目前100%進(jìn)口稀有氣體。氖氣是空氣中含量?jī)H有0.00182%的一種稀有氣體，是半導(dǎo)體曝光工藝中使用的準(zhǔn)分子激光氣體的原料之一。過(guò)去，全部進(jìn)口并依賴(lài)外國(guó)技術(shù)，由于貿(mào)易爭(zhēng)端導(dǎo)致價(jià)格飆升和供應(yīng)短缺，韓國(guó)曾試圖將產(chǎn)品本地化。此次建成的裝置每年可生產(chǎn)約22000
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: 這些稀有氣體的提取工藝你知道嗎？

稀有氣體是指氬氣、氖氣、氦氣、氪氣、氙氣。由于它們的沸點(diǎn)不同，在空氣中的含量又相差懸殊，所以各組分匯集在精餾塔中的不同部位。氪、氙的沸點(diǎn)最高（在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，氪的沸點(diǎn)為：-152.9攝氏度、氙的沸點(diǎn)為：-108.1攝氏度），隨加工空氣進(jìn)入下塔后，氪、氙均冷凝在下塔液空中。再隨液空經(jīng)節(jié)流閥進(jìn)入上塔，逐板下流匯集于上塔底部的液氧及氣氧中。因此，若想從空分裝置提取氪、氙，通常是將產(chǎn)品氧引入氪塔，用精餾法制取貧氪、氙原料氣。氖的沸點(diǎn)（-245.9攝氏度），氦的沸點(diǎn)（-268.9攝氏度
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: 什么氣體是稀有氣體中最不稀有的氣體呢？

稀有氣體，是指元素周期表上的第18族元素(IUPAC新規(guī)定，即原來(lái)的0族)，它們?cè)诔叵氯渴且詥卧訛榉肿拥臍怏w。它們包括氦、氖、氬、氪、氙、氡6個(gè)元素，屬周期系零族元素。也稱(chēng)惰性氣體。在稀有氣體發(fā)現(xiàn)的初期，認(rèn)為這6種元素在地殼中的含量很少，故稱(chēng)為稀有氣體。根據(jù)現(xiàn)有資料，氬的含量并不稀少。氬的應(yīng)用非常廣泛，我們的日常生活中就有它的身影。因其具有化學(xué)性質(zhì)不活潑、導(dǎo)熱性差等特點(diǎn)，最廣泛的一個(gè)用途是被作為照明技術(shù)中的填充氣體。在燈泡里充入氬，可以延長(zhǎng)燈絲的使用壽命。此外，在通電狀態(tài)下，氬能發(fā)出藍(lán)紫光，
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: 什么氣體是稀有氣體中最不稀有的氣體呢？

稀有氣體，是指元素周期表上的第18族元素(IUPAC新規(guī)定，即原來(lái)的0族)，它們?cè)诔叵氯渴且詥卧訛榉肿拥臍怏w。它們包括氦、氖、氬、氪、氙、氡6個(gè)元素，屬周期系零族元素。也稱(chēng)惰性氣體。在稀有氣體發(fā)現(xiàn)的初期，認(rèn)為這6種元素在地殼中的含量很少，故稱(chēng)為稀有氣體。根據(jù)現(xiàn)有資料，氬的含量并不稀少。氬的應(yīng)用非常廣泛，我們的日常生活中就有它的身影。因其具有化學(xué)性質(zhì)不活潑、導(dǎo)熱性差等特點(diǎn)，最廣泛的一個(gè)用途是被作為照明技術(shù)中的填充氣體。在燈泡里充入氬，可以延長(zhǎng)燈絲的使用壽命。此外，在通電狀態(tài)下，氬能發(fā)出藍(lán)紫光，
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: 電子特種氣體供需問(wèn)題亟待通過(guò)回收再利用技術(shù)解決

面對(duì)半導(dǎo)體制造過(guò)程中特種氣體使用量持續(xù)增大帶來(lái)的溫室氣體排放問(wèn)題和地緣政治問(wèn)題引起的特殊氣體供求問(wèn)題，韓國(guó)專(zhuān)家專(zhuān)家提出了發(fā)展特種氣體再利用技術(shù)的解決方案。近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體及顯示器產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，特種氣體的使用量和排放量急劇增加，因此抑制該領(lǐng)域溫室氣體排放已經(jīng)成為當(dāng)務(wù)之急。在半導(dǎo)體材料·特種氣體研討會(huì)上，韓國(guó)代表就“半導(dǎo)體氣體Recycling技術(shù)和局限性”進(jìn)行了專(zhuān)題研討。他認(rèn)為，由于各國(guó)之間的貿(mào)易爭(zhēng)端，氦、氖、氪、氙等稀有氣體的回收和再利用刻不容緩。目前半導(dǎo)體
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: 氖氣的3大用途

氖氣因?yàn)樯a(chǎn)量少，成本相對(duì)比較高，通常只在一些專(zhuān)用儀表、電光源、低溫研究以及配制深海潛水呼吸氣等領(lǐng)域應(yīng)用。一、氖氣用途之氖的低溫工程應(yīng)用眾所周知，氦的液體溫度范圍為2×10-3—5.20K，氫的液體溫度范圍為14.2—33.0K，氖的液體溫度范圍為24.5—44.40K。由于氖具有化學(xué)惰性，且蒸發(fā)潛熱大（按同體積液體計(jì)，液氖制冷能為液氫的2.7倍），因此，在25-40K內(nèi)，經(jīng)常用氖代替氫作為實(shí)驗(yàn)的安全冷卻劑。在液氖上部抽出蒸氣，很容
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: 存儲(chǔ)芯片需求增長(zhǎng)，2025年電子級(jí)稀有氣體用量或增加至850ML

在信息時(shí)代的飛速發(fā)展中，海量數(shù)據(jù)的處理不僅對(duì)于芯片算力提出越來(lái)越高的要求，不斷累積的數(shù)據(jù)也需要更大、更快、延時(shí)更低的存儲(chǔ)介質(zhì)。電子工業(yè)中氪氙氣體主要用于3D NAND存儲(chǔ)器高深寬比刻蝕工藝，從而實(shí)現(xiàn)多層堆疊結(jié)構(gòu)。預(yù)計(jì)2025年全球電子級(jí)稀氪氖氙氣體用量將增加至850ML，較2020年增長(zhǎng)29%。激光氣體主要用于電子工業(yè)中激光退火和光刻氣。光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，光刻定義了晶體管尺寸，光刻產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展是光刻機(jī)突破關(guān)鍵。與之配套的光刻膠、光刻氣體、光罩等半導(dǎo)體
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