半導(dǎo)體工業(yè)中，高純（電子級(jí)）二氧化碳主要用于清洗技術(shù)和沉浸式光刻技術(shù)。隨著Fab廠制成

的清洗程序變多，未來中國(guó)高純（電子級(jí)）二氧化碳需求也將增大。芯片清洗，曾經(jīng)只是簡(jiǎn)單地

將芯片浸入清洗液中。但從FinFET開始，再到GAA結(jié)構(gòu)，以及先進(jìn)的DRAM和3D-NAND，清洗

技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入到了第三個(gè)階段，現(xiàn)在正在成為半導(dǎo)體先進(jìn)制程的最主要挑戰(zhàn)之一。高純（電子級(jí)）

二氧化碳，你能為半導(dǎo)體制造做什么？

超臨界二氧化碳清洗技術(shù)，用于清洗高深寬比的半導(dǎo)體集成電路的溝槽和微孔的清洗工藝，采

用超臨界二氧化碳脈沖，即在二氧化碳臨界點(diǎn)附近周期性地改變壓力，使二氧化碳在超臨界區(qū)

和亞臨界區(qū)周期性擺動(dòng)，利用二氧化碳在臨界點(diǎn)附近微小的壓力改變即可產(chǎn)生較大密度變化的

性質(zhì)，去除溝槽和微孔中的微粒。

超臨界清洗是用超臨界二氧化碳清洗半導(dǎo)體器件，該技術(shù)是可以將損壞降至最低的下一代技術(shù)。

氣體圈子的某位專家曾參與過我國(guó)超臨界二氧化碳清洗半導(dǎo)體設(shè)備的高壓釜的設(shè)計(jì)。根據(jù)目前

公開的二氧化碳超臨界流體半導(dǎo)體清洗技術(shù)專利，我國(guó)現(xiàn)有技術(shù)主要還是對(duì)硅片表面的微細(xì)結(jié)

構(gòu)進(jìn)行有效清洗，很少涉及半導(dǎo)體器件微觀結(jié)構(gòu)的清洗技術(shù)。日本東電電子（TEL）在公開演

講中曾分享過半導(dǎo)體超臨界設(shè)備和圖案無塌陷干燥技術(shù)相關(guān)信息。

浸沒式光刻技術(shù)也稱為浸入式光刻技術(shù)。一般特指193nm浸入式光刻技術(shù)。通過在光刻機(jī)投影

物鏡最后一個(gè)透鏡下表面與硅片光刻膠之間充滿高折射率的液體(如去離子水)，進(jìn)一步提高了

光刻分辨率,打破光源波長(zhǎng)瓶頸。去離子水經(jīng)過進(jìn)一步去雜質(zhì)、去氣泡、恒溫之后流入曝光頭，

填充在晶圓與透鏡之間，然后流出光刻機(jī)。高純二氧化碳用于保證液體不從側(cè)面泄露出去。

碳化硅和二氧化硅之間的界面質(zhì)量會(huì)對(duì)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能產(chǎn)生限制。西安交通大學(xué)和

西安電子科技大學(xué)的研究人員稱，這種不足可以通過超臨界二氧化碳處理來解決，超臨界二氧

化碳處理可以降低界面態(tài)密度。團(tuán)隊(duì)的發(fā)言人告訴《化合物半導(dǎo)體》，在傳統(tǒng)的碳化硅場(chǎng)效應(yīng)

晶體管中，界面不能通過高溫退火來優(yōu)化，因?yàn)檫@會(huì)產(chǎn)生碳簇和其他缺陷。用較低溫度的超臨

界二氧化碳處理可消除這些缺陷的形成，該處理可保證較高的載流子遷移率，較低的泄漏電流

以及能提高柵極氧化物的臨界擊穿電場(chǎng)。

二氧化碳廠家武漢紐瑞德特種氣體供應(yīng)高純二氧化碳?xì)怏w,4N/5N高純二氧化碳?xì)怏w，各種純度。

二氧化碳合作事宜請(qǐng)撥打：400-6277-838.