四氟化碳，又稱為四氟甲烷,既可以被視為一種鹵代烴、鹵代甲烷、全氟化碳，也可以被視為一種無機化合物。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。今天紐瑞德特氣小編月月為大家?guī)硎褂盟姆茧姖{處理三氧化鉬之電荷捕捉層在快閃記憶體的應(yīng)用介紹。

  于此我們將對三氧化鉬和鈦參雜三氧化鉬電荷捕捉層做探討，而高介電系數(shù)材料之MOHOS型記憶體能取代傳統(tǒng)SONOS型記憶體是由于其擁有高的電荷捕捉密度，好的熱穩(wěn)定度，較大的導(dǎo)電帶平移和較薄的等效氧化層厚度，在我們應(yīng)用三氧化鉬和鈦參雜之三氧化鉬做為電荷捕捉層的結(jié)果得知鈦參雜之三氧化鉬再經(jīng)過熱退火后展現(xiàn)出了較佳的記憶體表現(xiàn)，如較大的記憶窗口、較快的寫入/抹除速度、較好的電荷保存能力和較佳之原件耐久度。

  除此之外，我們在三氧化鉬電荷捕捉層上使用四氟化碳電漿處理，在經(jīng)過電漿處理后，記憶體將擁有較佳之遲滯現(xiàn)象以及較快的寫入/抹除速度。最后我們將比較二氧化鈰和鈦參雜之二氧化鈰之物性和電性，相較于二氧化鈰，二氧化鈰在經(jīng)過鈦參雜后展現(xiàn)出較大的電容-電壓遲滯6.1V、較大的平帶電壓偏移、較小的電荷溢失9.9%和較佳的耐久度(在經(jīng)過104次寫入抹除循環(huán)仍保有2.5V記憶窗口)。

  小常識：

  高純四氟化碳可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

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