特種氣體在干法蝕刻中的優(yōu)勢(shì)解析  

蝕刻是通過化學(xué)和物理方法有選擇地從硅片表面去除不必要的材料的過程。蝕刻的目的是

正確地復(fù)制涂膠硅片上的掩膜圖形。蝕刻分為濕蝕刻和干蝕刻。濕蝕刻是利用液體化學(xué)試

劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行蝕刻。干蝕刻利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基

與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，或通過轟擊等物理作用達(dá)到蝕刻的目的。主要介質(zhì)是氣體。干蝕刻

的優(yōu)點(diǎn)是各向異性（即垂直方向的蝕刻速率遠(yuǎn)大于水平速率）明顯，特征尺寸控制良好，

化學(xué)品使用處理成本低，蝕刻速率高，均勻性好，良率高。常用的干蝕刻是等離子體蝕刻。

硅片的蝕刻氣體(特殊氣體)主要是氟基氣體，包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、

六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性和選擇性差，改進(jìn)后的蝕刻氣體通常包括

氯基(Cl2)和溴基(Br2)、HBr)氣體。反應(yīng)生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。氯基氣

體通常用于鋁和金屬復(fù)合層的蝕刻，如CCl4、Cl2、BCL3等。產(chǎn)品主要包括AlCL3等。

蝕刻氣體工業(yè)術(shù)語，蝕刻是將氧化硅膜、金屬膜等無光刻膠覆蓋的加工表面蝕刻掉，保存

光刻膠覆蓋的區(qū)域，從而在基板表面獲得所需的成像圖形。蝕刻的基本要求是圖形邊緣整

齊，線條清晰，圖形變換差小，光刻膜及其覆蓋保護(hù)表面無損傷和鉆孔腐蝕。蝕刻方法包

括濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱為蝕刻氣體，通常為氟化物氣體，

如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。由于蝕刻方向性強(qiáng)、工藝控

制準(zhǔn)確、方便、無脫膠現(xiàn)象、無基板損傷和污染，干法蝕刻的應(yīng)用范圍越來越廣。