四氟化碳這種含氟有機(jī)化合物作為蝕刻二氧化硅和氧化硅這樣的介質(zhì)材料已成熟運(yùn)用多年,也是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體。其混合氣體即四氟化碳和氧氣的混合、與氫的混合均在硅系列、薄膜蝕刻領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。同時在低溫下可作為低溫流體用,也在制冷、體絕緣、氟化劑、表面處理劑和激光氣體泄露檢驗劑有一定的應(yīng)用空間。四氟化碳的廣泛應(yīng)用,其產(chǎn)品質(zhì)量要求也相應(yīng)的較為明確、規(guī)范。目前行業(yè)內(nèi)較為成熟的分析方法主要檢測四氟化碳中的氧(O2)、氮(N2)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、六氟化硫(SF6)、水(H2O)、氟化物(以 HF 計)和氟碳化合物雜質(zhì)。氟碳化合物一般含有六氟乙烷(C2F6)、八氟烷(C3F8)和氟甲烷(CHmFn)。正常情況通過配合配備有PDD 檢測器的氣相色譜加上中心切割都能夠完成全部雜質(zhì)的定性和定量,作為不活潑氣體四氟化碳的水分分析也較為簡單常規(guī)。目前伴隨著四氟化碳出口量的增加,客戶對雜質(zhì)的要求也越來越全面,越來越嚴(yán)格。三氟化氮(NF3)這種隱形雜質(zhì)作為最新的指標(biāo)規(guī)格也出現(xiàn)在書面要求中。
化氫及合成反應(yīng)中,水分及空氣的影響會涉及到副產(chǎn)物三氟化氮的生成,在提純工藝中,一般為吸附精餾法提高四氟化碳的純度,而兩者沸點相差只有 1℃,所以在提純工藝上也是較難以去除。國內(nèi)客戶在對使用四氟化碳?xì)怏w中很少有對三氟化氮的雜質(zhì)含量提出要求,作為行業(yè)內(nèi)四氟化碳生產(chǎn)中含有微量三氟化氮也是習(xí)以為常,本文探討一種簡易的氣相色譜法對四氟化碳中的三氟化氮含量進(jìn)行定性定量分析。
1 試驗內(nèi)容
1.1 試驗方法說明
測定高純四氟化碳中三氟化氮雜質(zhì)的方法有多種。一種方法是采用傅立葉變換紅外光譜法,通過紅外掃描記錄 NF3 的特征吸收峰的波數(shù),經(jīng)繪制標(biāo)準(zhǔn)曲線求得濃度與吸光度的關(guān)系來進(jìn)行濃度標(biāo)定。而這種方法的紅外光譜儀價格較為昂貴,且對實驗環(huán)境等方面要求嚴(yán)格,對于一般中小型企業(yè)來說代價較高,實驗結(jié)果也達(dá)不到預(yù)期目的。采用氣相色譜法對四氟化碳進(jìn)行常規(guī)分離過程中,主組分四氟化碳出峰較三氟化氮靠前,且較為接近。中心切割處理不當(dāng),其主峰會對其進(jìn)行完全覆蓋,分離難度相當(dāng)大。然而氣相色譜法操作簡單快捷,特別配備有 PDD 檢測器,靈敏度高,較為靈活。在氣相色譜分析樣品的過程中,所選用的色譜柱、檢測器、柱溫等條件可直接影響樣品分析的分離度及靈敏度。本次實驗采用帶有 PDD 檢測器的氣相色譜儀,由與杭州克柔姆聯(lián)合開發(fā)提供的 GC-126 儀器,采用單十通閥雙預(yù)柱進(jìn)樣預(yù)處理、四閥四柱反吹的氣路流程進(jìn)行實驗分析。且對實驗條件進(jìn)行多次優(yōu)化處理最終達(dá)到分離效果。
1.2 試驗條件
儀器:GC-126 脈沖放電氦離子化檢測器
色譜柱:柱 1:HayesepQ1 預(yù)分離填充柱,1/8’’*2m
柱 2:HayesepR2 多孔極性聚合物填充柱,1/8’’*2m
柱 3:HayesepR3 多孔極性聚合物填充柱,1/8’’*4m
柱 4:5A 分子篩不銹鋼填充柱,1/8’’*2.5m
柱 5:HayesepQ 高分子小球填充柱,1/8’’*6m
柱 6:HayesepQ 高分子小球填充柱,1/8’’*3m
色譜柱溫:40~60℃(恒溫)
預(yù)分離柱溫:40~55℃
檢測器溫度:120℃
載氣:He(99.9999%以上),30mL/min
驅(qū)動氣:使用氮氣或者空氣,輸出壓力控制在 0.3MPa 左右
定量管:0.5mL
進(jìn)樣方式:十通閥自動進(jìn)樣
圖 1 為其分析氣路流程圖。儀器待機(jī)狀態(tài)下各閥門處于目前狀態(tài)。即為 OFF 位置,閥
事件表格在 1 階、2 階切換的過程中依次進(jìn)行相反動作操作。
1.3 試驗過程
1.3.1 方法的建立(一)
在正常條件下課通過分子篩與HayesepR柱的聯(lián)合切換達(dá)到分離四氟化碳中各項雜質(zhì),
包含氧(O2)、氮(N2)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、六氟化硫(SF6)、六氟乙烷
(C2F6)、八氟丙烷(C3F8)等雜質(zhì)。此時并未對三氟化氮(NF3)雜質(zhì)進(jìn)行分析處理。閥事件及條件如下:
表 1 四氟化碳雜質(zhì)分析方法
根據(jù)此分離情況得到的分析譜圖如圖 2 所示。
從色譜中可以發(fā)現(xiàn)高純四氟化碳經(jīng)過閥四切割后并未發(fā)現(xiàn)有三氟化氮雜質(zhì),這也是測試
高純四氟化碳中三氟化氮雜質(zhì)比較常用的分析方法,能夠測定出常規(guī)性雜質(zhì),但是對三氟化
氮雜質(zhì)卻無法測定。
1.3.2 方法的建立(二)
因考慮到四氟化碳與三氟化氮雜質(zhì)出峰時間相近,可適當(dāng)降低色譜柱溫度,從而拉開出
峰距離,且可在閥 4 的中心切割上面進(jìn)行優(yōu)化處理,排放出大量的四氟化碳,從而分離出
三氟化氮。首先配置氦中 150ppm 的三氟化氮標(biāo)氣進(jìn)行定性分析,以確定三氟化氮準(zhǔn)確的
出峰時間,從而可在此出峰時間的合適范圍內(nèi)進(jìn)行微調(diào)放空時間,以達(dá)到理想效果。
表 2 氦中三氟化氮分析方法
以接近于此的方法對 1.3.1 方法中的四氟化氮樣品進(jìn)行測試,測試條件如下:
表 3 四氟化碳中三氟化氮的分析方法
其色譜結(jié)果圖如下:
經(jīng)與氦中三氟化氮標(biāo)準(zhǔn)譜圖比對可以發(fā)現(xiàn),3.8min 出現(xiàn)三氟化氮雜質(zhì),其含量在78ppm 左右,經(jīng)閥 4 切割放空后的四氟化碳與三氟化氮雜質(zhì)含量已初步進(jìn)行了分離,且能夠進(jìn)行定量分析,但四氟化碳仍舊有很高的含量。對閥 4 進(jìn)行微調(diào),由 2.5min 延遲到2.55min 后譜圖分析結(jié)果如下:
由以上色譜圖可以發(fā)現(xiàn),四氟化碳與三氟化氮已經(jīng)有效地進(jìn)行了分離,根據(jù)
標(biāo)準(zhǔn)氣體含量,可進(jìn)行定量分析。
3 實驗結(jié)論
1. 通過本文的研究,得到了一種可全面分析四氟化碳中包含三氟化氮雜質(zhì)含量的方法,即采用氣相色譜法進(jìn)行。
2. 通過降低色譜柱溫度,拉開出峰距離,在出峰時間進(jìn)行微放空等方法,從而使得四氟化碳與三氟化氮很好的進(jìn)行了分離。
3. 該方法簡單快捷、靈敏度在 PDD 檢測器中相對較高,分析時間正常,有很強(qiáng)的實用性,適用于目前大規(guī)模生產(chǎn)中對三氟化氮含量的檢測