半導(dǎo)體的核心是使用氣體以高度可控的方式在表面上沉積近元素固體。然后通過(guò)

引入額外的氣體、激光、化學(xué)蝕刻劑和熱量來(lái)修改這些沉積的固體。大致過(guò)程中

的步驟是：

沉積：這是創(chuàng)建初始硅晶圓的過(guò)程。硅前體氣體被泵入真空沉積室，并通過(guò)化學(xué)

或物理相互作用形成薄硅晶片。

光刻：照片部分是指激光。在用于制造最高規(guī)格芯片的更高極紫外光刻 (EUV) 光

譜中，使用二氧化碳激光將微處理器的電路蝕刻到晶圓中。

蝕刻：在蝕刻過(guò)程中，將鹵素-碳?xì)怏w泵入腔室，激活并溶解硅基板中的選定材料

。這個(gè)過(guò)程有效地將激光印刷的電路雕刻到基板上。

摻雜：這是一個(gè)額外的步驟，可以改變蝕刻表面的導(dǎo)電性，以確定半導(dǎo)體導(dǎo)電的

確切條件。

退火：在此過(guò)程中，晶圓層之間的反應(yīng)是通過(guò)升高壓力和溫度來(lái)引發(fā)的。本質(zhì)上

，它最終確定了先前過(guò)程的結(jié)果，并在晶圓中創(chuàng)建了最終完成的處理器。

腔室和管路清潔：前面步驟中使用的氣體，尤其是蝕刻和摻雜，通常具有劇毒和

反應(yīng)性。因此，工藝室和為其供氣的氣體管線(xiàn)需要充滿(mǎn)中和氣體，以減少或消除

有害反應(yīng)，然后填充惰性氣體，以防止任何來(lái)自外部環(huán)境的污染氣體侵入。