鍺烷（GeH4）和乙鍺烷（Ge2H6）均為電子工業(yè)用的關(guān)鍵氣體材料，對整個行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展起著重要的支撐配套作用。鍺烷主要用于半導(dǎo)體制程中在硅片上沉積SiGe（硅鍺）層。硅鍺材料的載流子遷移率高、能帶寬度隨Ge的組分變化而連續(xù)可調(diào)，因此,硅鍺材料在微電子和光電子方面有重大的應(yīng)用價值。5G時代，光通信芯片崛起，光通信傳輸芯片主流采用SiGe工藝來滿足其對高性能和低功耗的要求。國家發(fā)改委《增強(qiáng)制造業(yè)核心競爭力三年行動計劃(2018-2020年)》曾對鍺烷純度和裝置規(guī)模就提出過具體要求。鍺烷也用于紅外光學(xué)材料、航天器空間高效電池等；作為太陽能薄膜電池的源材料，與硅烷一起制備各種不同的非結(jié)晶鍺硅電池。

鍺烷是國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料，安全問題也不容忽視。1984 年，日本酸素公司一支從美國進(jìn)口的鍺烷鋼瓶在工廠發(fā)生爆炸。事故調(diào)查結(jié)果顯示，主要原因是鍺烷分解反應(yīng)引起的爆炸。日本酸素公司在半導(dǎo)體用氣體處理經(jīng)驗中寫道: “ 鍺烷等的自催化性非常強(qiáng), 一旦分解形成金屬膜, 鍺烷就會急速分解, 因此, 配管等材料表面必須清潔、平滑” 。事故鋼瓶自 1962 年制造以來, 曾用于一般高壓氣體, 可看到內(nèi)表面己被污染, 而且鋼瓶閥己腐蝕脫鋅。因此, 一旦有分解反應(yīng)產(chǎn)生, 便可急速進(jìn)行反應(yīng)。1989 年，在大阪府高石市鍺烷制造廠，粗鍺烷低溫液化貯槽在升溫時發(fā)生破裂，其事故原因也是鍺烷產(chǎn)生分解爆炸。實驗也確認(rèn)鍺烷易發(fā)生分解爆炸，可致劇烈爆炸。因此，在使用操作鍺烷氣體時，要特別注意安全。

2009 年以前我國高純鍺烷基本完全依賴進(jìn)口，彼時全球 90%以上的鍺烷市場由美國 Voltaix 公司（已被法液空收購）壟斷，除了進(jìn)口價格昂貴外，常常因國際形勢緊張和變化而受到阻礙。2009年博純材料打破了鍺烷的進(jìn)口壟斷，在薄膜太陽能領(lǐng)域其產(chǎn)品市占率很高。2018年3月，聯(lián)華林德在臺中港區(qū)建造了臺灣地區(qū)的第一個也是唯一的 GeH4 混配及充裝工廠，該工廠利用高精度的分析技術(shù)來生產(chǎn)鍺烷含量在 1-20% 的超高純度氫氣混合物。2019年，華特股份的募投項目中包括 10 噸鍺烷產(chǎn)能。據(jù)了解，國內(nèi)除了液化空氣張家港和SKM西安等項目有鍺烷混配充裝或存儲之外，某上市公司也計劃在安徽投建鍺烷項目。