無論是六氟化硫還是四氟化碳，都是能引發(fā)溫室效應的溫室氣體，在我們的生產(chǎn)生活當中，這兩種群體也時常見到。如果能將這兩種氣體在使用完畢之后變轉(zhuǎn)化回收，不是直接散發(fā)到空氣中，將在極大程度上保護環(huán)境。利用高溫電漿火炬進行對CF4與SF6兩種全氟溫室氣體轉(zhuǎn)化就是目前科學家研究的事情。

  利用高溫電漿火炬進行對CF4與SF6兩種全氟溫室氣體轉(zhuǎn)化，并利用傅立葉轉(zhuǎn)換紅外線光譜儀進行產(chǎn)物分析，探討O2進料流量、載氣流量、微波功率與全氟化物進料濃度對轉(zhuǎn)化效果與產(chǎn)物生成之影響，針對全氟化物建立一反應熱力學模型，將其計算結(jié)果與實驗值相比較，藉由轉(zhuǎn)化率與產(chǎn)物組成來預估反應器之反應溫度并驗證模型準確性，最后利用PECVD系統(tǒng)模擬半導體實廠測試，評估高溫火炬電漿應用于半導體廠全氟廢氣削減之可行性。

  研究發(fā)現(xiàn)，添加與全氟化物等比例的O2可以有效抑制CFx及SFy自由基與F原子的再結(jié)合反應，維持電漿實際之解離效果；提高全氟化物進料濃度(流量)會使轉(zhuǎn)化效果降低，但能量使用效率則較高；另外載氣流量與微波功率決定電漿火炬反應器之溫度，提高微波功率或降低載氣流量皆可提高反應器溫度，使轉(zhuǎn)化效果提升。

  將熱力學模型計算值與實驗結(jié)果進行比較，可預估本研究削減CF4的溫度介于1400~1800K間，而SF6則介于1200~1500K間；CO、NO、SOF2及SO2F2之模型計算值與實驗值有所差異，主要由于上列物種可能于冷卻腔體或管線中持續(xù)與O2反應，使產(chǎn)物趨勢發(fā)生變化；其馀產(chǎn)物趨勢皆與實驗值相近，證明本研究之熱力學模型具相當之準確性。

  利用PECVD系統(tǒng)模擬蝕刻/腔體清潔之制程尾氣，發(fā)現(xiàn)PECVD系統(tǒng)對SF6的解離效果不佳，因此將製程尾氣導入電漿火炬進行削減，藉由調(diào)整微波功率可使轉(zhuǎn)化效果達90%以上，證明高溫電漿火炬應用于半導體全氟廢氣削減具有極佳之效果。