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: 硅烷充裝要求與注意事項(xiàng)

了解硅烷充裝的規(guī)范要求和安全注意事項(xiàng)，辦理移動(dòng)式壓力容器充裝許可證，選擇合格的氣瓶，確保硅烷的安全用氣。硅烷是一種易燃?xì)怏w，充裝過(guò)程需要嚴(yán)格遵循相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)定，切勿忽視安全。在充裝過(guò)程中，要注意氣瓶的質(zhì)量和充裝壓力，避免發(fā)生火災(zāi)和爆炸等危險(xiǎn)情況。當(dāng)出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，及時(shí)切斷氣源，并采取適當(dāng)?shù)臏缁鸫胧?。辦理許可證時(shí)，要提供合格證書(shū)和技術(shù)指標(biāo)等相關(guān)資料。了解以上知識(shí)，選擇信譽(yù)正規(guī)的供應(yīng)商，確保您的安全用氣。-
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: 硅烷中混入氮?dú)鈺?huì)怎么樣

硅烷燃燒過(guò)程中加入氮?dú)獠粌H提高產(chǎn)物純度，還能減少有害氣體排放，增加硅的產(chǎn)量。氮?dú)夤?yīng)方式主要有液氮和氣態(tài)氮，通過(guò)儲(chǔ)罐和壓縮機(jī)提供。加氮技術(shù)在硅烷生產(chǎn)中具有重要的應(yīng)用前景。
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: 總投資1.63億元！年產(chǎn)5000噸電子級(jí)硅烷氣及配套儲(chǔ)氫項(xiàng)目報(bào)批

宜昌南玻硅材料有限公司已完成報(bào)批手續(xù)，投資1.63億元建設(shè)年產(chǎn)5000噸的電子級(jí)硅烷氣及其配套儲(chǔ)氫項(xiàng)目。該項(xiàng)目將改建生產(chǎn)線(xiàn)并購(gòu)置新設(shè)備，成為中國(guó)電子級(jí)硅烷氣生產(chǎn)的龍頭企業(yè)。一旦建成，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)5000噸電子級(jí)硅烷氣和1000m3制氫儲(chǔ)能。
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: 硅烷氮混合氣混合法

硅烷氮混合物是一種常用的氣體混合物，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光學(xué)薄膜、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。為了保證混合物的均勻性和穩(wěn)定性，需要采用一定的混合方法。
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: 硅烷SiH4化學(xué)品安全技術(shù)說(shuō)明書(shū)MSDS

硅烷SiH4化學(xué)品安全技術(shù)說(shuō)明書(shū)MSDS 硅烷,硅烷氣體,硅烷標(biāo)準(zhǔn)氣體,硅烷混合氣體第一部分：化學(xué)品名稱(chēng)化學(xué)品中文名稱(chēng)：硅烷msds；甲硅烷；四氫化硅化學(xué)品英文名稱(chēng)： Silane；Silicon tetrahydride中文俗名或商品名： Synonyms：CAS No.： 7803-62-5分子式： SiH4分子量： 32.12第二部分：成分/組成信息有害物成分含量 CAS No.甲硅烷 7803-62-5第三
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: 三氯氫硅SiHCl3化學(xué)品安全技術(shù)說(shuō)明書(shū)MSDS

三氯氫硅SiHCl3化學(xué)品安全技術(shù)說(shuō)明書(shū)MSDS 三氯氫硅,三氯氫硅氣體,三氯氫硅標(biāo)準(zhǔn)氣體,三氯氫硅混合氣體第1部分化學(xué)品化學(xué)品中文名：三氯氫硅MSDS別名：三氯硅烷；硅仿；硅氯仿化學(xué)品英文名：trichlorosilane；silicochloroform產(chǎn)品推薦及限制用途：用于生產(chǎn)有機(jī)硅的中間體。第2部分危險(xiǎn)性概述緊急情況概述：遇明火強(qiáng)烈燃燒。受高熱分解產(chǎn)生有毒的氯化物氣體。與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，有燃燒危險(xiǎn)。吞咽有害，吸入有害，造成嚴(yán)重的皮膚灼傷和眼損傷，造成
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: 二氯硅烷H2Cl2Si化學(xué)品安全技術(shù)說(shuō)明書(shū)MSDS

二氯硅烷H2Cl2Si化學(xué)品安全技術(shù)說(shuō)明書(shū)MSDS 二氯硅烷,二氯硅烷氣體,二氯硅烷標(biāo)準(zhǔn)氣體,二氯硅烷混合氣體一、標(biāo)識(shí)中文名稱(chēng)：二氯硅烷msds英文名稱(chēng)：dichlorosilane分子式：SiH2Cl2分子量：101.01二、成分/組成信息有害成分：二氯硅烷濃度：CAS NO.：4109-96-0三、危險(xiǎn)性概述危險(xiǎn)性類(lèi)別：侵入途徑：健康危害：對(duì)上下呼吸道、皮膚和眼睛有腐蝕性和刺激性。本品遇水或空氣中的水份迅速水解形成氯化氫（鹽酸）。鹽酸可致皮膚灼傷和粘膜刺激。接
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: 氣體在半導(dǎo)體外延中起到的作用

外延生長(zhǎng)本質(zhì)上是一個(gè)化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。用于硅外延生長(zhǎng)的主要?dú)怏w源是氫和氯硅烷，例如四氯化硅（SiCl4）、三氯氫硅（SiHCl3）和二氯硅烷（SiH2Cl2）。此外，硅烷經(jīng)常被用作氣體源以降低生長(zhǎng)溫度。氣源的選擇主要取決于外延層的生長(zhǎng)條件和規(guī)格，其中生長(zhǎng)溫度是選擇氣源的最重要因素。硅外延層的生長(zhǎng)速率和生長(zhǎng)溫度之間的關(guān)系。顯示了兩個(gè)不同的增長(zhǎng)區(qū)域。在低溫區(qū)域（區(qū)域A）中，硅外延層的生長(zhǎng)速率與溫度成指數(shù)關(guān)系，這意味著它們由表面反應(yīng)控制；在高溫范圍（區(qū)域B），生長(zhǎng)速率與溫度幾乎沒(méi)有直接關(guān)系，表明它們受質(zhì)量傳輸
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: 硅烷熱分解法制取高純硅的化學(xué)原理

在高純硅的制備方法中，熱分解法SiH4具有廣闊的應(yīng)用前景。該方法的整個(gè)過(guò)程可分為三個(gè)部分：SiH4的合成、提純和熱分解。（1） SiH4的合成桂花鎂熱分解制備SiH4是工業(yè)上廣泛使用的方法。硅化鎂（Mg2Si）是由硅粉和鎂粉在500～550℃的氫氣（真空或氬氣）中混合而成。反應(yīng)式如下： 2Mg+Si=Mg2Si 然后硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質(zhì)中反應(yīng)生成SiH4。 Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+2MgCl2+4NH3↑ 液氨不僅是介質(zhì)，還
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: 標(biāo)準(zhǔn)氣鋁合金鋼瓶的特殊處理技術(shù)

A.標(biāo)準(zhǔn)氣鋼瓶的CL- 1 型特殊處理技術(shù) 該系列產(chǎn)品的特點(diǎn)是內(nèi)表面涂覆光潔、憎水、耐蝕及化學(xué)惰性的涂層，具有很強(qiáng)的抗腐蝕和保持氣體純度的能力?？捎糜诔溲b高品級(jí)電子氣體，如硅烷、乙硼烷、磷烷、砷烷、氯化氫、二氯甲硅烷、三氯化硼及氨等氣體，國(guó)內(nèi)首創(chuàng)，達(dá)到國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品先進(jìn)水平。該產(chǎn)品正逐步代替進(jìn)口特種鋼瓶，用于充裝國(guó)內(nèi)高品級(jí)特種氣體和出口用特種氣體。合作方式：提供各種規(guī)格的特殊處理氣瓶。 B.標(biāo)準(zhǔn)氣鋁合金鋼瓶的CL-2型特殊處理技術(shù) &nbs
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