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: MO源—半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的源頭材料

MO源是什么？紐瑞德小編來(lái)告訴你！ MO源也就是高純金屬有機(jī)化合物，是現(xiàn)代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支撐源材料，是半導(dǎo)體照明(LED)產(chǎn)業(yè)鏈的源頭材料。從全球市場(chǎng)來(lái)看，MO源主要的應(yīng)用領(lǐng)域是移動(dòng)設(shè)備的背光源、液晶顯示器背光源、液晶大屏幕背光源、半導(dǎo)體激光器及航天高效太陽(yáng)能電池等高端軍品技術(shù)領(lǐng)域、信號(hào)燈、汽車照明和半導(dǎo)體照明等光電子技術(shù)領(lǐng)域。 MO源種類繁多，在研究和生產(chǎn)中使用過(guò)的MO源超過(guò)70多種， MO源概念已超出金屬有機(jī)化合物的范圍，現(xiàn)在MO源的含義應(yīng)是：凡在MOCVD外延技術(shù)中作為
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: 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展迅猛，電子氣體迎來(lái)新機(jī)遇！

紐瑞德小編了解到，在9月13日召開的2018年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會(huì)上，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)于燮康介紹，上半年，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)收入2726.5億元，同比增長(zhǎng)23.9%。其中，集成電路制造領(lǐng)域收入737.4億元，同比增長(zhǎng)29.1%。中科院微電子研究所所長(zhǎng)表示，集成電路制造既可以帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)裝備和材料發(fā)展，又可以服務(wù)于集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，是集成電路產(chǎn)業(yè)的中樞環(huán)節(jié)。國(guó)內(nèi)集成電路制造工藝已取得長(zhǎng)足進(jìn)步，65納米、40納米、28納米工藝相繼量產(chǎn)，14納米技術(shù)研發(fā)取得突破，特色工藝競(jìng)爭(zhēng)力提高。&l
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: 六氟化硫做絕緣有什么缺點(diǎn)？

1、SF6雖然無(wú)毒，但密度大，不易稀釋和擴(kuò)散，是一種窒息性物質(zhì)，在故障泄漏時(shí)容易造成工作人員缺氧，中毒窒息。 2、SF6氣體在電場(chǎng)中產(chǎn)生電暈放電時(shí)會(huì)分解出來(lái)SOF2（氟化亞硫酰）、SO2F2（氟化硫酰）、S2F10（十氟化二硫）、SO2（二氧硫）、S2F2（氟化硫）、HF（氫氟酸）等近十種氣體。這些氟、硫化物氣體都有毒性，而且S2F10還具有劇毒性和腐蝕性。如對(duì)鋁合金、瓷絕緣子、玻璃環(huán)氧樹脂等絕緣材料，能損壞它們的結(jié)構(gòu)；對(duì)人體及呼吸系統(tǒng)有強(qiáng)列的刺激和
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: 四氟化碳在微電子行業(yè)的應(yīng)用

四氟化碳，又稱為四氟甲烷。它既可以被視為一種鹵代烴、鹵代甲烷、全氟化碳，也可以被視為一種無(wú)機(jī)化合物。所以在電子行業(yè)中制作線路板蝕刻過(guò)程中，需要使用四氟化碳。在蝕刻過(guò)程中，用四氟化碳將多余的銅皮腐蝕掉，附有油墨的電路上銅皮得以保留，之后再用四氟化碳進(jìn)行清洗電路上的油墨再烘干，等工藝。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體，也可以廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅，磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗，太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)，鋁合金門窗制造、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控
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: 電子工業(yè)中如何正確選用高純氣體

隨著科學(xué)技術(shù)向高、精、尖發(fā)展，對(duì)各種原材料“純度”的要求開始越來(lái)越高。但是，高純氣體所能提供的數(shù)量通?？偸禽^少的，同時(shí)，價(jià)格昂貴。因此，如何正確地恰如其分地提出對(duì)原料氣的純度要求，如何選用高純氣就成為一個(gè)值得討論的問(wèn)題。通常，人們常用百分濃度來(lái)轟示氣體的純度，即所謂用幾個(gè)“9”字的表示法。例如，某種氣體濃度為99．9％，表示含有0.1% 的雜質(zhì)(即雜質(zhì)含量為1000ppm)。按通常的概念，顯然，濃度為99.995％的氣體比99．99
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: 蝕刻技術(shù)中特種氣體的作用

硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體,包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性,選擇性較差,因此改進(jìn)后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)氣體。反應(yīng)后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。鋁和金屬?gòu)?fù)合層的蝕刻通常采用氯基氣體,如CCl4、Cl2、BCl3等。產(chǎn)物主要包括AlCl3等蝕刻是采用化學(xué)和物理方法,有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程?？涛g的目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形?？涛g分為濕法蝕
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: 廢鋁制氫技術(shù)了解一下！

俄羅斯莫斯科鋼鐵學(xué)院研發(fā)出鋁及有色金屬?gòu)U料化學(xué)制氫技術(shù)及實(shí)驗(yàn)裝置，所制備的氫可用于車載供電系統(tǒng)及固定式小型電力裝置。科研團(tuán)隊(duì)采用“鋁—水”系統(tǒng)以廢鋁作為反應(yīng)物研發(fā)出化學(xué)制氫的整套技術(shù)，包括，原材料的化驗(yàn)分析、廢鋁粉處理方案、氧化過(guò)程工藝參數(shù)的選擇、所制備固體金屬反應(yīng)物儲(chǔ)存和運(yùn)輸要求等。已研制出廢鋁制氫氧化劑，以及制氫實(shí)驗(yàn)裝置。裝置適用于處理廢鋁及其他水解金屬以制備氫燃料，具有可靠的防爆性。由于金屬鋁表面易形成氧化保護(hù)膜，隔絕氧化劑與金屬鋁的接觸
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: 六氟化硫使用時(shí)的注意事項(xiàng)

六氟化硫在常溫常壓下為無(wú)色無(wú)臭無(wú)毒的氣體。不燃燒。對(duì)熱穩(wěn)定，化學(xué)性質(zhì)不活潑。在500℃以上熾熱狀態(tài)下也不分解，在800℃以下很穩(wěn)定。在250℃與金屬鈉反應(yīng)。沒(méi)有腐蝕性，可以用通用材料，不腐蝕玻璃。電絕緣性能和消弧性能好，絕緣性能為空氣的2~3倍，而且氣體壓力越大，絕緣性能越增高。藥物學(xué)性質(zhì)不活潑，沒(méi)有毒。微溶于水，在酒精和醚中溶解的比在水中多一些。不溶于鹽酸和氨。水中的溶解度為：（分壓101.325kPa，25℃）。介電常數(shù)為：1002049（氣體，101.325kPa，25℃）。在21.1℃時(shí)S.P.為2308k
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: 標(biāo)準(zhǔn)氣體的常用領(lǐng)域

標(biāo)準(zhǔn)氣體引氣體工業(yè)名詞。標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是濃度度均勻的，良好穩(wěn)定和量值準(zhǔn)確的測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)，它們具有復(fù)現(xiàn)，保存和傳遞量值的基本作用，在物理，化學(xué)，生物與工程測(cè)量領(lǐng)域中用于校準(zhǔn)測(cè)量?jī)x器和測(cè)量過(guò)程，評(píng)價(jià)測(cè)量方法的準(zhǔn)確度和檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室的檢測(cè)能力，確定材料或產(chǎn)品的特性量值，進(jìn)行量值仲裁等。應(yīng)用領(lǐng)域 1. 常見的標(biāo)準(zhǔn)氣體按用途包括：氣體報(bào)警類標(biāo)準(zhǔn)氣體、電力能源類標(biāo)準(zhǔn)氣體、石油化工類標(biāo)準(zhǔn)氣體、環(huán)保監(jiān)測(cè)類標(biāo)準(zhǔn)氣體、醫(yī)療衛(wèi)生類標(biāo)準(zhǔn)氣體、儀器儀表類標(biāo)準(zhǔn)氣體等。 2.
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: 氣相色譜法測(cè)定高純四氟化碳中三氟化氮雜質(zhì)的方法

四氟化碳這種含氟有機(jī)化合物作為蝕刻二氧化硅和氧化硅這樣的介質(zhì)材料已成熟運(yùn)用多年，也是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體。其混合氣體即四氟化碳和氧氣的混合、與氫的混合均在硅系列、薄膜蝕刻領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。同時(shí)在低溫下可作為低溫流體用，也在制冷、體絕緣、氟化劑、表面處理劑和激光氣體泄露檢驗(yàn)劑有一定的應(yīng)用空間。四氟化碳的廣泛應(yīng)用，其產(chǎn)品質(zhì)量要求也相應(yīng)的較為明確、規(guī)范。目前行業(yè)內(nèi)較為成熟的分析方法主要檢測(cè)四氟化碳中的氧（O2）、氮（N2）、一氧化碳（CO）、二氧化碳（CO2）、六氟化硫（SF6）、水（H2O）
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