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PNAS：W同位素制約地球早期地幔對流模式
古生代和古地球的構(gòu)造系統(tǒng)與現(xiàn)代板塊構(gòu)造完全不同。近年來，對地球早期構(gòu)造樣式的探索一直是固體地球科學領(lǐng)域的前沿熱點之一。早期地幔的性質(zhì)及其對流模式是揭示地球早期構(gòu)造樣式的關(guān)鍵。最近發(fā)表的古巖樣品W同位素研究表明，古地幔主要由局部、相對獨立的小規(guī)模對流所控制（Mei et al.，2020；Tusch et al.、2021），在這種地幔對流模型下，古生代形成的早期地幔不均一性可以得到保留。 短壽命放射性衰變系統(tǒng)（如182Hf-182W、146Sm-142Nd和129I-129Xe系統(tǒng)）受晚期地質(zhì)過程影響更多 +
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撲救壓縮或液化氣體火災的基本對策
眾所周知，液化氣作為工業(yè)氣體通常儲存在不同的容器中或通過管道運輸。在壓縮或液化氣體引起火災的情況下，不允許盲目滅火，必須采取適當?shù)臏缁鸫胧喝绻麤]有任何防漏措施，必須保持穩(wěn)定的燃燒。否則，可燃氣體會泄漏出來，與空氣混合，擊中火源時發(fā)生爆炸，后果不堪設(shè)想。首先，撲滅環(huán)境中火源點燃的易燃物質(zhì)的火災，阻斷火災傳播路徑，控制燃燒區(qū)域，并立即營救受傷和被困人員。如果壓力容器或壓力容器存在火焰輻射熱風險，應將可疏散容器盡可能疏散至水下和地面下的安全區(qū)域。如果輸氣管道泄漏并起火，請設(shè)法找到氣源閥。確認閥門狀態(tài)良好，關(guān)更多 +
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氣體在半導體外延中起到的作用
外延生長本質(zhì)上是一個化學反應過程。用于硅外延生長的主要氣體源是氫和氯硅烷，例如四氯化硅（SiCl4）、三氯氫硅（SiHCl3）和二氯硅烷（SiH2Cl2）。此外，硅烷經(jīng)常被用作氣體源以降低生長溫度。氣源的選擇主要取決于外延層的生長條件和規(guī)格，其中生長溫度是選擇氣源的最重要因素。硅外延層的生長速率和生長溫度之間的關(guān)系。 顯示了兩個不同的增長區(qū)域。在低溫區(qū)域（區(qū)域A）中，硅外延層的生長速率與溫度成指數(shù)關(guān)系，這意味著它們由表面反應控制；在高溫范圍（區(qū)域B），生長速率與溫度幾乎沒有直接關(guān)系，表明它們受質(zhì)量傳輸更多 +
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辨別醫(yī)用氧氣和工業(yè)氧氣
嚴格控制醫(yī)用氧氣含水量 鐵和水生銹。醫(yī)用氧氣和工業(yè)氧氣的最大區(qū)別是氧氣中的水的控制。我們的生活中經(jīng)常有這樣的經(jīng)歷。表面光滑干凈后，沒有生銹的鐵如果長時間放在外面不會生銹，但大雨過后會生銹。這是因為氧氣在水的存在下氧化了大量的鐵分子。而且鐵氧化后，不僅會生銹，還會排放氫氣和其他有害氣體。鐵被氧化形成鐵銹，鐵銹疏松，容易與氧氣混合形成小顆粒。患者吸入可導致呼吸道損傷，如感染。因此，在醫(yī)用氧氣生產(chǎn)過程中盡量減少氧氣中的水分含量非常重要。 工業(yè)氧氣是一種用于工業(yè)生產(chǎn)和產(chǎn)品加工的氣體。由于質(zhì)量要求低，如果純度更多 +
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氦氣在半導體制造中發(fā)揮著重要作用
氦是一種從天然氣收集器中獲得的惰性氣體，具有許多用于半導體制造的特性。由于氦是一種“惰性”氣體，它不會與其他元素發(fā)生反應，因此是制造半導體的理想選擇。半導體加工中的化學反應通?；跉怏w或液體，因此在硅周圍使用惰性氣體可以防止不必要的反應。此外，由于氦的高導熱性，它可以有效地傳遞熱量，這有助于在制造過程中控制硅的溫度，并使半導體小型化成為可能。 半導體越來越多地應用于幾乎所有可能的應用中。例如，基于半導體的電動汽車零部件占汽車制造成本的35%。到2030年，隨著其他零部件變得更加更多 +
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生活安全的進階 從液氯到次氯酸鈉
液態(tài)氯被添加到自來水工藝中已不是秘密。然而，以這種方式生產(chǎn)的自來水對肉眼來說是非常干凈的，但經(jīng)過處理的水也必然含有殘余氯。家庭用水、做飯、做飯、洗蔬菜、水果甚至洗澡用水都會直接影響健康，這是一個不容忽視的問題。 眾所周知，市政供水設(shè)施通常使用液氯消毒，但液氯屬于劇毒危險品。同時，儲存液氯的鋼瓶屬于高壓容器。液氯的使用和儲存一直是各級政府和供水企業(yè)安全生產(chǎn)中最重要的預防內(nèi)容。次氯酸鈉是否用作液氯的替代品，水質(zhì)是否受損？寧波市城管局公共供應控制中心表示，次氯酸鈉消毒的原理與液氯消毒基本相同，可以起到很好的更多 +
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如何控制CO2氣體焊接飛濺太大的問題
根據(jù)不同液滴轉(zhuǎn)移形式下噴霧的不同原因，必須假設(shè)不同的噴霧減少原因，并采用不同的噴霧降低方法： 1.在無滴傳輸過程中，應選擇合適的焊接電流和焊接電壓參數(shù)，以避免使用大滴排斥轉(zhuǎn)移；同時，應選擇高質(zhì)量的焊接材料，如H08Mn2SiA低碳含量焊絲和脫氧元素Mn和Si，以避免由于焊接材料的冶金反應導致氣體沉淀或膨脹而產(chǎn)生飛濺水。 2.在短路過渡期間（Ar+CO2），可使用混合氣體代替CO2以減少飛濺水。如果φ（Ar）=20%~30%Ar相連，這是由于電弧形狀和液滴轉(zhuǎn)移特性隨氬氣含量的增加而變化。在更多 +
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高純氬氣使用時應遵循哪些操作準則
高純度氬氣的使用應遵循某些操作指南，這并不意味著可以使用高純度氬氣。這是正確的操作方法。讓我們一起來看下一個要點，高純度氬氣的操作指南是什么！ 1.使用氬氣前，將氬氣儲罐內(nèi)的壓力設(shè)置為0.8-1.2MPa，打開氬氣表使壓力達到0.18-0.25Mpa，在滿足所有管道連接裝置的使用要求后，將氬氣表的壓力控制在穩(wěn)定位置。 2.在使用過程中，必須每層檢查儲罐壓力。如果壓力接近設(shè)備使用要求的上限和下限，或達到或接近氬罐的下限儲量，應增加觀察頻率，并及時報告更換。 3.增壓操作：當儲罐壓力接近設(shè)備使用要更多 +
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為什么氣瓶要配戴安全帽？
對于含有各種工業(yè)氣體的鋼瓶，噴嘴上有一個鋼瓶閥，用于控制氣體的入口和出口。在鋼瓶閥上戴上一個蓋子，以確保鋼瓶閥沒有機械損壞和安全。它是鋼瓶的重要配件，被稱為防護頭盔。 為什么氣瓶要戴防護頭盔？ 因為大多數(shù)鋼瓶的鋼瓶閥門都是由銅合金制成的，相對來說比較脆弱。雖然有些是由鋼制成的，因為它的結(jié)構(gòu)比氣缸體小，但它在氣缸體上旋轉(zhuǎn)，以在瓶頸和氣缸閥接頭之間形成直角。不僅是缸體的脆弱點，也是缸體最容易受到機械損壞或外部影響的突出點。如果鋼瓶在搬運、儲存和使用過程中因不小心損壞而掉落、墜落、滾動或被其他硬物撞擊更多 +
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標準氣體的分析準度
標準氣體生產(chǎn)的一般原則 標準氣的開發(fā)過程可分為原料氣純度分析；稱重部件的壓制制備：氣相色譜法和化學發(fā)光法等高精度分析方法的校準；性能控制和包裝條件。標準氣體的開發(fā)和生產(chǎn)商必須確保提供詳細的技術(shù)數(shù)據(jù)等。標準氣體有可復制的描述性文件來指導制備過程，并且制備所需的設(shè)備正常使用。所有制備過程必須按照預定的制備程序進行和控制，以使其不受外部人員或環(huán)境的影響。 2.標準氣原料氣純度分析 標準氣體對規(guī)定特征值的精度要求很高。制備前，應檢查原料氣的質(zhì)量。如果CO、CH4、CO2/N2標準氣體的含量小于100.更多 +
