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氬氣匯流排的使用
為了提高工作效率和安全生產，將單一供氣的氣源集中在單一用氣點，并安裝多個氣罐（高壓鋼瓶、低溫杜瓦瓶等），以實現(xiàn)集中供氣 使用母線的優(yōu)點： 1.使用匯流條可以節(jié)省更換氣缸的次數(shù)，降低工人的勞動強度，節(jié)省勞動力成本 2.高壓氣體的集中管理可以減少潛在的安全風險 3.可以節(jié)省空間，更好地利用空間 4.便于燃氣管理 氣體分配器適用于高氣體消耗的公司。其原理是通過固定裝置和軟管將瓶裝氣體引入分配器的主管。減壓和調節(jié)后，通過管道運輸至使用現(xiàn)場。廣泛應用于醫(yī)院、化工、焊接、電子和科研單位。 氣體分配更多 +
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干冰清洗的原理是什么
干冰噴射清潔，也稱為冷噴涂，以壓縮空氣為動力和載體，干冰顆粒作為加速顆粒，并通過專用噴射清潔器將其噴射到待清潔物體的表面，其中高速固體干冰顆粒（ΔMv）的脈沖變化、升華、，采用熔化等能量轉換，使污垢、油污、殘留雜質等。在待清潔物體的表面上，可以快速凍結以冷凝、易碎、分離，同時可以通過氣流去除。 它不會損壞待清潔物體的表面，尤其是金屬表面，也不會影響金屬表面的光滑度。具體清洗工藝包括：低溫冷凍條、沖洗條和沖擊條。 冷凍去皮 如果78.5℃的干冰顆粒作用在待清潔物體的表面上，首先冷凍易更多 +
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檢測油中氣體的基本原理
在檢測原理上，用于在線氣體檢測的氣體傳感器大致可以分為三類：氣體傳感器、熱導電池和紅外光學傳感器。氣體傳感器包括場效應管、半導體傳感器、電化學傳感器等。在機理上，它們都通過一種作用模式（通常是化學反應）將氣體含量信號直接或間接轉化為電信號。熱導率電池的制造過程可以有很大的變化，但是氣體含量信號是基于氣體的熱導率對電阻的影響而導出的。 光學紅外傳感器由分光鏡和紅外探測器組成。它可以根據不同的氣體特征吸收頻率來區(qū)分氣體類型，并根據特征頻率下的吸收來確定氣體含量。 2.1氣體分離程序 選擇性透氣膜只更多 +
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稱量法是標準氣體配制的經典方法
稱重是國內外生產標準氣體的經典方法。過去，精密機械秤通常被用作標準氣體制備工具，并開發(fā)了許多復雜的方法來評估和計算稱重過程的不確定度。近年來，隨著電子稱重技術的發(fā)展，越來越多的標準氣體借助電子精密秤來制備。由于設備原理和稱重方法的不同，原有的不確定度評估方法不完全適用于電子秤的稱重過程，需要開發(fā)新的評估方法來滿足新技術應用的要求。 1,1，范圍 稱重方法由國際標準化組織推薦。它僅適用于不與氣缸內壁反應的部件之間的氣體，以及在實驗條件下完全為氣體的可冷凝部件。如果可冷凝部件的分壓在最低工作溫度下超過其更多 +
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氬氣凈化機的工作原理
由鋯鋁制成的不可蒸發(fā)的16吸氣劑用作清潔劑。在一定溫度下，吸氣劑可以提供穩(wěn)定的化合物或固溶體，其中含有微量元素O2、N2、H2、H2O、CO、CO2、CH4等。以實現(xiàn)精煉氬氣的目標。氬清潔劑可與熱電、Spike、OBFL、瑞士ARL、日本島津、意大利NAK、英國Arang和北京瑞麗等多家光譜儀公司生產的直讀光譜儀、熒光光譜儀和退火光譜儀一起使用，以確保具有超純氣體質量的分析數(shù)據的可靠性和穩(wěn)定性。 高溫吸氣劑是一些金屬合金。其表面與一些雜質如氧和CH4反應。此外，在高溫（300-400℃）下，這些雜質將更多 +
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三氯氫硅還原法制取高純硅的化學原理
SiHCl3的合成 第一步：由硅石制取粗硅 硅石（SiO2）和適量的焦炭混合，并在電爐內加熱至1600~1800℃ 可制得純度為95%~99%的粗硅。其反應式如下： SiO2+3C=SiC+2CO（g）↑ 2SiC+SiO2=3Si+2CO（g）↑ 總反應式： SiO2+2C=Si+2CO（g）↑ 生成的硅由電爐底部放出，澆鑄成錠。用此法生產的粗硅經酸處理后，其純度可達到99.9%。 第二步：SiHCl3的合成 SiHCl3是由干燥的氯化氫氣體和粗硅粉在合成更多 +
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硅烷熱分解法制取高純硅的化學原理
在高純硅的制備方法中，熱分解法SiH4具有廣闊的應用前景。該方法的整個過程可分為三個部分：SiH4的合成、提純和熱分解。 （1） SiH4的合成 桂花鎂熱分解制備SiH4是工業(yè)上廣泛使用的方法。硅化鎂（Mg2Si）是由硅粉和鎂粉在500～550℃的氫氣（真空或氬氣）中混合而成。反應式如下： 2Mg+Si=Mg2Si 然后硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質中反應生成SiH4。 Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+2MgCl2+4NH3↑ 液氨不僅是介質，還更多 +
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四氯化硅氫還原法制取高純硅的化學原理
工業(yè)粗硅氯化生產四氯化硅 目前，四氯化硅的工業(yè)處理工藝一般為直接氯化工藝，即工業(yè)粗硅在加熱條件下與氯直接反應生成四氯化硅。在工業(yè)上常用的不銹鋼（或石英）氯化爐中，硅鐵被裝入氯化爐。氯從氯化爐底部引入，當加熱到200~300℃時，反應開始產生SiCl4?；瘜W反應如下： Si-2Cl2、SiCl4 生成的SiCl4以氣體狀態(tài)從熔爐上部轉移到電容器，以液體狀態(tài)冷卻，然后流入儲罐。 在生產中，氯化溫度一般控制在450～500℃，一方面可以提高生產率，另一方面可以保證質量。因為溫度低時反應速度慢，副產物S更多 +
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氮氣發(fā)生器的工作原理
氮氣發(fā)生器是一種先進的氣體分離技術，采用優(yōu)質進口碳分子篩（CMS）作為吸附劑，采用變壓吸附（PSA）原理在室溫下分離空氣，產生高純度氮氣。其主要應用領域有：航空航天、核能和核能、食品和醫(yī)藥、石油化工、電子工業(yè)、材料工業(yè)、國防軍工、科學實驗等。 電化學制氮（需要“添加液體”）： 電化學氮氣發(fā)生器可以產生純氮氣、氧氣和其他氣體。它采用恒電位電解法，使用微孔膜（如石棉膜）作為兩個電極的分隔板，多孔氣體擴散氧氣電極作為陰極，鎳機作為陽極，電極安裝有硬支撐結構。發(fā)電機能在氮氣室和氧氣室更多 +
